爐內互動性對硅碳棒的的影響：           （1）缺水氣流的的影響：硅碳棒能在高的溫度（1600℃）、缺水的氣流影響期利用，電阻值放緩延長。二鈍化的氮（O2）與SiC在高的溫度時會發生反應遲鈍，轉化二鈍化的硅（SiO2）。因為硅碳棒從表面導致了頂層SiO2保護措施膜，為此硅碳棒兼備不強的抗鈍化的性。      （2）水液體的關系：水液體（H2O）在1100℃時與SiC再次發生熱烈化學放熱反應放熱反應，提取Si、SiO2和C。硅碳棒單單從表面現身磨痕，內阻增長率極限速度馬上。      （3）N2（N2）的危害：當硅碳棒面水溫達到1400℃時，N2就與SiC發生癥狀，生成二維碼氮化硅，使硅碳棒的功率電阻值可觀增加。      （4）氧氣（H2）的干擾：在1250℃時，H2與SiC出現癥狀，轉換成甲烷氣體（CH4）,弄壞SiC變燙體。     （5）二氧化氮（NH3）的危害：NH3在室內溫度過高時可被分解轉換成成成N2和H2。故用到室內溫度應操控在1250℃低于。      （6）二空氣氧化硫（SO2）的的影響：SO2在1300℃與SiC不良反應，故選用濕度應的控制在1300℃之下。      （7）氫氣（Cl2）的影晌：Cl2在600℃時就能與SiC發生了反映，在1200℃時，Cl2會把硅碳棒分離。4、 SiC與鹽酸（HCL）、濃鹽酸（H2SO4）在中高溫時不引發普通機械生理癥狀。濃磷酸（H3PO4）在250℃時與SiC引產生理癥狀，生成二維碼co2（O2）、甲烷氣體（CH4）、二硫化碳（CO2）和二硫化硅（SiO2）。濃鹽酸（HNO3）與氫佛酸（HF）的相混物在常溫的下能溶水SiC。